核心摘要：
申请专利号
CN02127066.X
专利申请日
2002.07.26
名称
压铸的功率器件及其制造方法
公开（公告）号
| 申请专利号 |
CN02127066.X |
| 专利申请日 |
2002.07.26 |
| 名称 |
压铸的功率器件及其制造方法 |
| 公开（公告）号 |
CN1400657 |
| 公开（公告）日 |
2003.03.05 |
| 类别 |
电学 |
| 颁证日 |
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| 优先权 |
2001.7.26 JP 225963/2001;2002.3.26 JP 86408/2002 |
| 申请（专利权） |
株式会社电装 |
| 地址 |
日本爱知县 |
| 发明（设计）人 |
平野尚彦;手嶋孝纪;中濑好美;八木贤次 |
| 国际申请 |
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| 国际公布 |
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| 进入国家日期 |
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| 专利代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
| 代理人 |
吴立明;梁永 |
| 摘要 |
| 一种半导体器件，包括在工作中产生热的半导体芯片，用于冷却该芯片的一对散热器和其中埋置该芯片和该散热器的铸模树脂。芯片的厚度t1和用焊料连接到芯片的散热器之一的厚度t2满足式t2/t1≥5。此外，散热器的热膨胀系数α1和铸模树脂的热膨胀系数α2满足式0.5≤α2/α1≤1.5。另外，面对焊料的芯片表面具有满足式Ra≤500nm的粗糙度Ra。此外，焊料是锡-基焊料以抑制芯片中压应力松弛，压应力松弛是由焊料的蠕变引起的。 |
| 主权项 |
| 1.一种半导体器件(1)，包含：一个在工作中产生热的半导体芯片(2)；一对用于释放来自半导体芯片(2)的热以使该半导体芯片(2)冷却的金属板(3，4)，其中半导体芯片(2)被连接到金属板(3，4)之一；以及铸模树脂(7)，半导体芯片(2)和金属板(3，4)被埋置其中，使得每个金属板(3，4)的一个表面被暴露以改善从金属板(3，4)的散热效率，其中半导体芯片(2)的厚度t1和金属板(3，4)之一的厚度 t2满足式t2/t1≥5。 |
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