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Applied Materials公司近日宣布开发出了一种新的化学气相淀积（CVD）技术，这种技术能为20nm及更高等级制程的存储/逻辑电路用晶体管淀积高质量的隔离层结构。据Applied Materials公司宣称，这些隔离结构的深宽比可超过30：1，比目前工艺对隔离结构的要求高出5倍左右。
Applied Materials公司宣布开发出深宽比高达30：1的化学气相淀积技术
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这项技术使用了Applied Materials公司名为Eterna流动式化学气相沉积系统(Flowable CVD:FCVD)的技术专利，淀积层材料可以在液体形态下自由流动到需要填充的各种形状的结构中，填充形式为自底向上，而且填充结构中不会产生空隙。
Applied Materials公司还宣称目前采用了Eterna FCVD技术的化学气相淀积设备已经在六家客户公司内开始装机，这些客户包括内存，闪存以及逻辑芯片厂商。
化学气相淀积（CVD）是通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺，可用来淀积各种氧化物，氮化物，多晶硅以及金属导体膜。
