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近日，牛津仪器公司的原子层沉积技术(ALD)和2D材料专家与艾恩德霍芬理工大学合作开发了用于纳米器件的二维过渡金属硫化物(2D TMDS)原子层沉积(ALD) 系统——FlexAL-2D ALD系统。
FlexAL-2D ALD系统可在与CMOS兼容的温度下生长2D材料，并可在大面积(200mm晶圆)上对厚度进行精确的数字控制。该系统的其他特征功能包括MoS2的自限制ALD生长、基础平面或边缘平面取向的可调形态控制，以创建先进的2D器件结构。
据该公司介绍，FlexAL-2D ALD系统可提供较宽的参数空间，使2D TMDS的生长温度比CVD炉中更低。
埃因霍温理工大学研究人员在今年七月的ALD会议上，首先介绍了使用ALD在450℃和低温条件下生长二维MoS2材料的情况。他们展示了如何在CMOS兼容的SiO2 / Si衬底上采用等离子体增强型ALD技术合成二维MoS2膜。这些二维MoS2膜具有可调形态(平面和垂直立体纳米级结构)。虽然3D鳍结构是诸如水分解等催化应用的理想结构，但2D平面形态在纳米电子学中具有潜在的应用。
牛津仪器等离子技术公司的ALD产品经理Chris Hodson对这项研究感到高兴：“艾恩德霍芬理工大学Bol博士及等离子体和材料处理(PMP)研究组在正在将ALD研究推向新的应用领域。2D材料是一个热门话题，利用ALD允许其在较低温度下生长，并且利用ALD沉积和其他加工方法在200毫米尺寸上合成2D材料，提供了新的能力与许多可能性。”
Ageeth Bol说：“研究人员对相对较低的温度特别感兴趣。对于CVD工艺，通常需要超过800℃，这对于半导体的应用来说通常是致命的，因为高温会增加原子的扩散，这使得它们更难以到达正确的位置。我们希望有一个在较低温度下生产高品质材料的工艺。这对于我正在处理的二维异质层是特别重要的，因为在更低的温度下，层之间的原子扩散将减少。”
