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由于接口简单，可靠性高，小容量的SLC NAND已被广泛应用于消费电子和工业编程领域。目前多数主机处理器中已嵌入ECC功能，可以在每512字节中纠正1位错误。然而，随着存储器工艺技术的不断进步，对于ECC的要求也相应提高。以32纳米工艺制造的NAND闪存所要求的ECC已经超过了4位/512字节。所以，在使用32纳米以及更先进工艺制造的，且未嵌入ECC功能的NAND闪存时，主机处理器中的控制器就必须相应升级，以确保其纠错能力与NAND闪存相符。
BENAND在减轻主机处理器ECC负担的同时，最大程度的避免了协议更改并且允许主机处理器支持最先进工艺的NAND闪存。BENAND在东芝公司最先进的32纳米工艺的SLC NAND闪存中，嵌入了一个具有4位/512字节纠错能力的ECC。BENAND具有与通用的SLC NAND闪存兼容的封装和引脚定义，这一点保证其在现有产品中可以轻松地与SLC NAND实现替换。
东芝公司计划在2012年的夏天之后，继续拓宽BENAND产品线以涵盖24纳米工艺的NAND闪存产品。BENAND将进一步拓宽产品线，为客户提供更多选择。BENAND也将进一步帮助东芝公司在存储器领域保持其领先地位。
[1] BENAND是东芝公司的商标。
参考资料：
产品编号 | 容量 | 输入/输出 | 电压 | 封装 | 量产 |
TC58BVG2S0FTA00 | 4Gbit | x8 | 2.7～3.6V | TSOP48 | 2012年3月 |
TC58BYG2S0FTA00 | 1.7～1.95V | TSOP48 | |||
TC58BVG2S0FBAI4 | 2.7～3.6V | FBGA63 | |||
TC58BYG2S0FBAI4 | 1.7～1.95V | FBGA63 | |||
TC58BVG2S5FBAI4 | x16 | 2.7～3.6V | FBGA63 | ||
TC58BYG2S5FBAI4 | 1.7～1.95V | FBGA63 | |||
TH58BVG3S0FTA00 | 8Gbit | x8 | 2.7～3.6V | TSOP48 | 2012年 第二季度 |
TH58BYG3S0FTA00 | 1.7～1.95V | TSOP48 |
主要特征：
1. 封装中包括4位/512字节的ECC和32纳米工艺的NAND闪存。
2. 通用接口。封装和引脚定义与通用的SLC NAND兼容。可以简单地在现有产品中进行替换。
3. 通过在NAND闪存中嵌入ECC，可以使主机处理器使用最先进工艺的NAND闪存而不用考虑错误纠正能力。
规格：
| 接口 | 通用的NAND 闪存接口 |
| 页面大小 | 4K Byte |
| 电压 | Vcc=2.7～3.6V，1.7～1.95V |
| 封装 | ·TSOP48（12mm x 20mm x 1.2mm） ·FBGA63 （9mm x 11mm x 1.0mm） |
