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三星近期已完成可支持400Mbps资料处理速度的ToggleDDR2.0规格NANDFlash开发作业，并计划于2011年投入量产。三星计划20奈米制程以下的NANDFlash产品将全部采用ToggleDDR2.0技术。
ToggleDDR2.0NANDFlash较既有的SDRNANDFlash信息处理速度40Mbps快10倍，达400Mbps，也较处理速度133Mbps的ToggleDDR1.0高速NANDFlash快3倍。
三星在量产的同时，为使此规格能成为市场标准，也向JEDEC申请标准登记，2011年初可完成登记作业。此外日本东芝(Toshiba)也决定将参与ToggleDDR2.0的标准化作业。
半导体事业部存储器策略营销副社长全东守表示，三星2009年11月初量产30奈米制程高速NANDFlash等持续主导高效能NANDFlash市场成长。未来搭载高速NANDFlash的4代智能型手机、平板计算机、固态硬碟(SSD)等各种产品的需求将会大幅增加，并带动NANDFlash市场成长。
